1. identification du laboratoire

 ما بين السطوح والطبقات الرقيقة لسطوح مخبر 
Laboratoire des surfaces, Interfaces et couches minces
 Acronyme du labo LASICOM
 Faculté ou Institut Sciences
 Etablissement Université Saad Dahlab Blida
 Adresse électronique
 Site web ou URL
 Année d’Agrément : 2000 Tel : 025 43 36 42 Fax : 025 43 36 42
 Localisation physique : Université de Blida, faculté des sciences, Pav 13,  1ère étage
 Superficie Totale    170 m2 Bureaux : 70 m2 Ateliers :30 m2

2.directeur du laboratoire

 Nom & Prénom  FERDJANI  Kais Grade : Professeur
Fonction administrative
 Adresse Electronique Cette adresse e-mail est protégée contre les robots spammeurs. Vous devez activer le JavaScript pour la visualiser.
 Home page 
 Nomination : N° Arrêté 330 Date : 09/10/2002
 Nombre Equipes : 4 Nbre Chercheurs : 15 Nbre Personnel soutien :0
 Localisation physique : Département d’électronique, Pav 16 – 1ère étage
 URL/www.nasr-dz.org

3. Présentation du laboratoire

 Description succincte :  Le laboratoire est formé par 4 équipes de recherche qui se présentent comme suit : Equipe 1 : « Elaboration et croissance des matériaux » Cette équipe travaille sur les thèmes suivants : i) Croissance de matériaux inorganiques  ii) Croissance de matériaux à applications lasers : iii) Croissance cristalline de couches minces, d’agrégats de métaux de transition et d’oxydes de métaux » Equipe 2 :« Calculs ab initio» Cette équipe a pour objectif de prédire les propriétés structurales, électroniques et magnétiques  de nanomatériaux. L’équipe dispose du code de calculs « Cristal 2003 » avec licence. Equipe 3 :« Modélisation et simulation de la croissance cristalline » L’équipe travaille sur la simulation à l’échelle atomique de la croissance homoépitaxiale de GaAs/GaAs (100)  et de la technique RHEED de caractérisation in situ de la croissance ainsi que sur l’oxydation thermique du silicium Si(100) et le développement des modèles de simulation de d’oxydation thermique de Sn(110)   Equipe 3 :« Modélisation des diodes lasers à puits quantiques » L’équipe « Diodes lasers » travaille sur deux thèmes : l’un porte sur l’étude des propriétés des hétéro structures quantiques (actuellement GaInNAs/GaAs ) Le deuxième thème porte sur la modélisation des lasers accordables (DFB et DBR, multi branches,…).  
Objectifs de recherche scientifique et de développement technologique : Formation, Publications et approfondissement des connaissances liées aux thèmes développés au laboratoire  
Thèmes mis en œuvre :
  1. 1)Réalisation expérimentale de couches minces par dépôt en phase gazeuse

Synthèse et croissance de matériaux inorganiques par les techniques de Czocralsky, micro pulling down et méthode des flux.

  1. 2)Calculs ab initio des propriétés électroniques,structurales et magnétiques de nanostructures……
  2. 3)Simulation de l’épitaxie par jets moléculaire et modélisation et simulation de l’oxydation thermique du Si(100) et de Sn(110)……………………
  3. 4)Etude et modélisation des diodesà base de structures à puits quantiques…
Etude et modélisation des diodes lasers accordables en longueurs d’onde…………  
Mots-Clés : CVD-croissance cristalline –flux- inorganique- oxyde d’étain –double tungstate-luminescence Calculs ab initio - HF – DFT- agrégat – nanomatériaux- Epitaxie- oxydation thermique – Monte Carlo Diodes lasers   -  Puits quantiques –modes couplés
Objectifs atteints (recherche, formation, autres):  Formation de Doctorat d’état, Doctorat, Magisters et de Masters. Publications (nationales et internationales) et communications (nationales et internationales)
Objectifs restant à réaliser : Les projets abordés par les différentes équipes restent toujours en cours de réalisation et de développement avec de nouvelles perspectives  
Difficultés rencontrées : Le manque d’effectifs en graduation rend difficile le bon fonctionnement du laboratoire. En particulier, l’arrêt de la formation de magister, a provoqué un manque flagrant en ressource humaine et par conséquent, la réduction budgétaire qui s’en est suivie a constitué un frein pour le fonctionnement du laboratoire.